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厂商型号

BSS306N L6327 

产品描述

MOSFET OptiMOS 2 Sm-Signal Transistor N-CH

内部编号

173-BSS306N-L6327

生产厂商

Infineon Technologies

infineon

#1

数量:418
最小起订量:1
美国加州
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BSS306N L6327产品详细规格

规格书 BSS306N L6327 datasheet 规格书
BSS306N
文档 Multiple Devices 25/Nov/2011
产品更改通知 Product Discontinuation 25/Nov/2011
标准包装 3,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 30V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 2.3A
Rds(最大)@ ID,VGS 57 mOhm @ 2.3A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2V @ 11µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 1.5nC @ 5V
输入电容(Ciss)@ Vds的 275pF @ 15V
功率 - 最大 500mW
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;

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